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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数
|
常规晶向： |
| 掺杂类型： | N型掺杂 或者 P型掺杂 | 制作方法： | 干法或湿法 | 薄膜厚度： | 常规厚度300nmSiO2 |
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| 常规尺寸
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dia4"x0.5mm；dia2"x0.5mm；单面氧化或者双面氧化 可按照客户要求加工氧化层厚度:50nm~1um |
| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装 |
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