4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型
产品概述:
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产品名称

4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type)


常规尺寸

dia4" ±0.5 mm  x 0.525 ±0.025 mm


技术参数

4H-SiC薄膜晶向:

4H-SiC薄膜厚度(film target thickness):

4.3um ±10%

4H-SiC薄膜厚度(film target doping layer) :

1.4E17/cc +0% /- 30%

载流子浓度:

(3~ 10)E16 /cc

导电类型:

P

抛光情况:

双面抛光

4H-SiC基片晶向:

10-10)

OF length: 15.9 +/- 1.7 mm

4H-SiC基片尺寸:

 dia 2 inch x330±25un

IF orientation :

90 degree cw. from OF +/- 5 degree

IF length:

8.0 +/- 1.7 mm

4H-SiC基片电阻率:

< 0.03 ohm-cm

4H-SiC抛光:

SiCMP单抛

边缘排除:

1mm


标准包装

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装


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