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GaAs InGaP薄膜
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GaAs InGaP薄膜

InGaP:Si/GaAs;Si  EPI Ready wafer ,P/E 3" dia.x0.625mm ,1sp

3" InGaP/GaAs Epi wafers 
                       Substrate: Gallium Arsenide wafers, P/E 3"Ø×625±25µm, 
                       n-type GaAs:Si [100]±0.5°, 
                       One-side-polished, back-side matte etched, US Flat (one). 
                       Epi: 1µm n-type InGaP:Si[100]±0.5°, lattice-match.

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