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GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
- 产品概述：
- 2英寸直径、有机金属化学气相沉积法（MOCVD)沉积在未掺杂的GaAs （半绝缘）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜
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| GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
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基底： | 砷化镓取向： | （100） | 掺杂与绝缘： | 未掺杂，半绝缘 | 晶圆尺寸： | 2英寸直径 | 电阻率： | 1x10^7ohm.cm | 抛光： | 单面抛光 | EPD： | ＜1x10^4 /cm^2 | 外延薄膜： | 第一层： | 薄膜厚度1.0um 晶格匹配： Al(0.25)Ga(0.75）As: (100) | 第二层（最上层）： | 顶层：GaAs膜厚130nm GaAS N型号掺Si | 背面： | 背面我们可以预期沉积，但是我们不能保证表面相同的质量和粗糙度 |
掺杂元素 | 类型 | 载流子浓度( cm-3) | 流动性( cm2/V.Sec) | 电阻率( ohm-cm ) | EPD(cm-2) | 未掺杂 | N | 7.5-9.5 x1015 | 4300-4400 | 1.6E-1-4.5E-1 | <5000 | Sn | N | 0.5~1.0 x1018 0.5~1.0 x1018 | 200 ~ 2400 1500 ~ 2000 | 0.001~0.002 0.0025~0.007 | 3~5 x104 | Zn | P | 0.8~2.0 x1018 2.5~4.0 x1018 | 2500 ~ 3500 1300 ~ 1600 | 0.0025~0.006 | 1~3 x104 | Fe | 半绝缘 | N/A | 1550-1640 | (2.1-2.7)x107 | <5000 |
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