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GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
产品概述:
2英寸直径、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)沉积在未掺杂的GaAs (半绝缘)(100)晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜
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GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜


基底:

砷化镓取向:

(100)

掺杂与绝缘:

未掺杂,半绝缘

晶圆尺寸:

2英寸直径

电阻率:

1x10^7ohm.cm

抛光:

单面抛光

EPD:

<1x10^4 /cm^2

外延薄膜:

第一层:

薄膜厚度1.0um  晶格匹配: Al(0.25)Ga(0.75)As: (100)

第二层(最上层):

顶层:GaAs膜厚130nm  GaAS N型号掺Si

背面:

背面我们可以预期沉积,但是我们不能保证表面相同的质量和粗糙度




















掺杂元素

类型

载流子浓度( cm-3)

流动性( cm2/V.Sec)

电阻率( ohm-cm )

EPD(cm-2)

未掺杂

N

7.5-9.5  x1015

4300-4400

1.6E-1-4.5E-1

<5000

Sn

N

0.5~1.0 x1018

0.5~1.0 x1018

200 ~ 2400

1500 ~ 2000

0.001~0.002

0.0025~0.007

3~5 x104

Zn

P

0.8~2.0 x1018

2.5~4.0 x1018

2500 ~ 3500

1300 ~ 1600

0.0025~0.006

1~3 x104

Fe

半绝缘

N/A

1550-1640

(2.1-2.7)x107

<5000


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