GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
产品概述:
2英寸直径、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)沉积在未掺杂的GaAs (半绝缘)(100)晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜
免责声明: 本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。 如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜


基底:

砷化镓取向:

(100)

掺杂与绝缘:

未掺杂,半绝缘

晶圆尺寸:

2英寸直径

电阻率:

1x10^7ohm.cm

抛光:

单面抛光

EPD:

<1x10^4 /cm^2

外延薄膜:

第一层:

薄膜厚度1.0um  晶格匹配: Al(0.25)Ga(0.75)As: (100)

第二层(最上层):

顶层:GaAs膜厚130nm  GaAS N型号掺Si

背面:

背面我们可以预期沉积,但是我们不能保证表面相同的质量和粗糙度




















掺杂元素

类型

载流子浓度( cm-3)

流动性( cm2/V.Sec)

电阻率( ohm-cm )

EPD(cm-2)

未掺杂

N

7.5-9.5  x1015

4300-4400

1.6E-1-4.5E-1

<5000

Sn

N

0.5~1.0 x1018

0.5~1.0 x1018

200 ~ 2400

1500 ~ 2000

0.001~0.002

0.0025~0.007

3~5 x104

Zn

P

0.8~2.0 x1018

2.5~4.0 x1018

2500 ~ 3500

1300 ~ 1600

0.0025~0.006

1~3 x104

Fe

半绝缘

N/A

1550-1640

(2.1-2.7)x107

<5000


免责声明: 本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。 如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。
附件

Copyright © 2019 合肥科晶材料技术有限公司 版权所有 皖ICP备09007391号-1     皖公网安备 34012302000974号

设备销售咨询

晶体销售咨询

售后服务