AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜
产品概述:
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产品名称

Al2O3+Al0.1GaN0.9 薄膜N型不掺杂(Al0.1GaN0.9 epitaxial template on Sapphire  N type )

常规尺寸

dia2",单抛

标准包装

1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装

技术参数


Al2O3晶向:

c-axis (0001) +/- 1.0 o

导电类型:

N 型不掺杂

薄膜厚度:

5um,研究级,单抛

电阻率:

< 0.5 Ohm-cm

正面Ga面情况:

As-grown

反面情况:

as-received finish

可用区域:

>90% ;Edge Exclusion Area 1mm

数据图:

详细数据图请点击





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