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热处理设备: 管式炉箱式炉箱管混合

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加热方式: 电阻加热红外灯管加热感应加热微波加热

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加热形式: 常规炉立式箱管混合式回转炉

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加热温度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加热温区: 单温区双温区三温区多温区感应加热专用

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管径: ф‍25 ф‍50 ф‍60 ф‍80 ф‍100 ф‍120及以上

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Si+Ag薄膜

产品概述：

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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情

Silver Metallic Film

· Film Deposition by DC Sputtering

· Silver Thickness: 0.2 microns

· Film Resistivity: N/A

· Film Crystallinity: N/A

· Roughness, RMS: 4.87 nm and < 10 nm

Silicon Wafer Specifications:

· Conductive type: Si P- type,B-doped

· Resistivity: 1-20ohm-cm

· Size: 4" diameter +/- 0.5 mm x 0.525 +/- 0.025 mm th

· Orientation: (100) +/- 0.5^o

· Polish: One sides polished

· Surface roughness: Prime

· Packing: Vacuum packed on a 4" single wafer carrier

Optional: you may need tool below to handle the wafer ( click picture to order )

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